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為便于供應(yīng)商及時了解政府采購信息，根據(jù)《財政部關(guān)于開展政府采購意向公開工作的通知》（財庫〔2020〕10號）等有關(guān)規(guī)定，現(xiàn)將本單位2025年01月至2025年03月采購意向公開如下：
| 序號 | 采購項目名稱 | 采購需求概況 | 預(yù)算金額(萬元) | 預(yù)計采購時間 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 點擊登錄查看分子束外延（MBE）設(shè)備采購項目 | 采購內(nèi)容:分子束外延（MBE）設(shè)備；主要功能或目標(biāo):分子束外延系統(tǒng)1套 1、系統(tǒng)包含進(jìn)樣室、預(yù)處理室、外延室； 1.1、進(jìn)樣室，真空腔室采用優(yōu)質(zhì)冷軋304L不銹鋼制造； 1.2、預(yù)處理室，真空腔室采用優(yōu)質(zhì)冷軋304L不銹鋼制造； 1.3、外延室，真空腔室采用優(yōu)質(zhì)冷軋316L不銹鋼制造，冷阱采用優(yōu)質(zhì)316L不銹鋼制； 2、系統(tǒng)真空： 2.1進(jìn)樣室配有分子泵、干泵獲得真空，極限真空：≤5×10-8Torr； 2.2、預(yù)處理室配有離子泵，極限真空：≤5×10-10Torr； 2.3、外延室配有低溫泵、離子泵、升華泵，極限真空≤5×10-11Torr； 3、襯底系統(tǒng)： 3.1、進(jìn)樣室配有襯底庫； 3.2、預(yù)處理室配有除氣臺； 4、交接系統(tǒng)：交接系統(tǒng)用于在真空腔室中完成襯底輸送。主要由手動升降機構(gòu)、自動線性傳遞機構(gòu)等組成。 6、外延室配有伸縮式可移動式束流計；檢測極限≤1×10-10 Torr； 7、外延室配有原位高能電子衍射儀：電子槍能量范圍：1-15 KeV； 8、外延室配有四極質(zhì)譜儀：量程：1-200amu，檢測極限≤1.0×10-12 Torr；可遠(yuǎn)程控制，附帶RGA控制與分析軟件； 9、P回收系統(tǒng)； 10、UPS電源：可以滿足1個Al爐、2臺離子泵、1臺工控機，≥1個小時的供電； 11、烘烤系統(tǒng)：系統(tǒng)配備專業(yè)控制軟件，烘烤溫度不低于200℃，烘烤程序可控，實際控溫精度為±10℃； 12、電控系統(tǒng)主要應(yīng)用于工藝編程、真空獲得、源爐控制以及烘烤系統(tǒng)。主要由人機交互界面、底層PLC核心驅(qū)動部件、數(shù)據(jù)處理和保存部件。操作模式分為手動模式、自動模式和維護(hù)模式。電控系統(tǒng)控制MBE生長室工藝，實現(xiàn)工藝自動化控制； 13、設(shè)備和軟件具有安全互聯(lián)互鎖功能。；需滿足的要求:項目建設(shè)后，設(shè)備支持：生長Ⅲ-As/P化合物半導(dǎo)體及其多元固溶體單晶薄膜或結(jié)構(gòu)，包括GaAs襯底上生長的GaAs，AlGaAs，AlGaInAs和AlGaInP，InP襯底上生長的InP，InGaAs，AlGaInAs，和InGaAsP；生長異質(zhì)結(jié)、超晶格和量子阱等結(jié)構(gòu)；生長發(fā)光二極管（LED）、邊發(fā)射和垂直腔（VCSEL）面發(fā)射激光器、太陽電池、光電探測器等光電器件；生長高電子遷移率晶體管（HEMT）、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管等功率器件。。 | 800.00 | 2025年03月 | 無 |
| 2 | 射頻電源 | 采購內(nèi)容:射頻電源；主要功能或目標(biāo):5KW，40.68MHz電源 1.輸出功率：5000W，可選功率范圍: 1W ~ 正常輸出功率； 2.電壓駐波比（VSWR）接近理想匹配狀態(tài)，設(shè)備可輸出其全部標(biāo)稱功率；電壓駐波比在失配狀態(tài)時（VSWR3.0 : 1:），設(shè)備可輸出其全部標(biāo)稱功率的60%；電壓駐波比在極端不匹配時（VSWR接近無限時）輸出功率（正向功率）大于標(biāo)稱功率的20%； 3.最大反射功率: 1000W，標(biāo)稱負(fù)載阻抗: 50Ω. 4.輸出頻率及誤差: 40.68MHz ± 5%. 5.通信接口：有同步接口；有模擬/數(shù)字，可選配 RS-232 / RS-485/ EtherCAT/DeviceNet 6.外殼IP防護(hù)等級：30 7.水冷冷卻要求：最大水壓： 8 bar；最小壓差： 2 bar；冷卻溫度：5 °C~35 °C 8.環(huán)境條件:室外溫度： 5 °C – 40 °C;濕度：5 % – 85 % 大氣壓力：79.5 kPa – 106 kPa; 9.配置專用匹配器 2KW，13.56MHz電源 1.功率輸出范圍：1W – 2000W，最大反射功率： 600 W 當(dāng)電壓駐波比（VSWR1：1~3：1），設(shè)備可輸出其全部標(biāo)稱功率；當(dāng)電壓駐波比（VSWR）極端不匹配時（VSWR接近無限時），輸出功率（正向功率）大于標(biāo)稱功率的60%； 2.輸出頻率： 13.56 MHz ± 0.005 %； 3.輸出阻抗： 50 Ω；諧波： -40 dBc；雜波： -50 dBc；功率精度：±1W or ±1 %；浪涌：±1W；輸出功率重復(fù)性：±2W or ±1 % 4.可選擇運行常規(guī)模式和脈沖模式，常規(guī)模式：正向功率、負(fù)載功率、外部電壓；脈沖模式：1 Hz–50 kHz，內(nèi)部和外部信號源 頻率捷變：±678 kHz（±5%） 具有抑弧功能： 5.接口：模擬；DeviceNet；RS232/485，系統(tǒng)端口/模擬；therCAT；RS232/485，系統(tǒng)端口/模擬；現(xiàn)場總線；RS232/485，系統(tǒng)端口/同步（CEX；脈沖；抑?。菏?6.水冷方式：環(huán)境溫度：5°C – 35°C； 7.外殼防護(hù)等級：30 8.可選配最高到400kHz的脈沖輸出頻率；具備智能自動調(diào)頻（Auto Frequency Tuning）、抑弧功能（Arc Management） 9.配置專用匹配器；需滿足的要求:可用于射頻磁控濺射鍍膜裝置、射頻離子源加工以及射頻等離子體刻蝕加工專用設(shè)備中，磁控濺射源、離子源和等離子體源的射頻電源提供。。 | 81.50 | 2025年03月 | 無 |
| 3 | 自由曲面測試儀 | 采購內(nèi)容:自由曲面測試儀；主要功能或目標(biāo):1.主要功能： 1.1采用多波長干涉方式測量零件面型，提供理論和實測曲線分析； 1.2可進(jìn)行平面、球面、非球面、自由曲面的三維形貌測量； 1.3可進(jìn)行曲率半徑測量； 1.4具備三維參數(shù)分析功能，該參數(shù)必須包括但不限于：PV/PV99、Astigmatism、RMS、Slop，顯示誤差圖的三維影像。 1.5有自動消傾斜和偏心校正功能； 1.6支持被測件方程及參數(shù)的輸入，并提供測量對比結(jié)果報告； 1.7可檢測面型：球面、非球面、衍射面和自由曲面； 衍射面溝槽深度大于10微米； 1.8測量方式：針對圓形、矩形、橢圓形、多邊形、不規(guī)則形狀等輪廓的面形均可進(jìn)行非拼接連續(xù)測量，以保證測量精度及一致性； 1.9可針對深寬比較大的小口徑光學(xué)模具測量，滿足口徑≤30mm，曲率半徑為 15mm 的凹球面測量； 2.技術(shù)規(guī)格、精度指標(biāo)： 2.1最大測量尺寸：Φ260mm； 2.2面型測量精度：≤50nm(PV值)，重復(fù)精度≤20nm； 2.3曲率半徑測量精度：≤0.05um (一英寸標(biāo)準(zhǔn)小球)； 2.4最大測量傾斜角： 凸面90°，凹面65°； 2.5最大測量矢高：≤50mm； 2.6被測件最大重量：≤25Kg； 2.7軟件分析：具備3D表面可視化、可調(diào)整橫斷面、2D顯示圖、濾波器 (LPF、HPF、高斯)、 最佳擬合半徑、非球面擬合、消傾斜和偏離補償、擬合去除、切向和徑向誤差；顯示相關(guān)參數(shù)，包括Power、PV、RMS、Slop和Zernicke等的數(shù)值、測量報告 (支持SBF、PDF、JPEG等多種輸出格式)的功能； 2.8 數(shù)據(jù)輸出：數(shù)據(jù)輸入輸出格式可與dat、datx、xyz格式、4D 、Zeiss、等面形分析處理軟件數(shù)據(jù)格式兼容通用；同時可以輸出主流光學(xué)加工設(shè)備的輸入格式，用于過程面形修正；還可以輸出Zemax、CodeV等光學(xué)設(shè)計軟件輸入格式，用于設(shè)計模型修正。；需滿足的要求:可用于對旋轉(zhuǎn)對稱和非旋轉(zhuǎn)對稱表面進(jìn)行精密的非接觸式3D形狀測量，如非球面、球面、平面和自由曲面等。。 | 400.00 | 2025年03月 | 無 |
| 4 | 橢偏儀 | 采購內(nèi)容:橢偏儀；主要功能或目標(biāo):光譜范圍：210-1690nm，測量角度：45-90°連續(xù)自動可變，光斑尺寸： 3mm≤普通光斑直徑≤5mm，微光斑≤300um，連續(xù)可調(diào)測試溫度：25-500℃。；需滿足的要求:項目建設(shè)后，建成并投入使用能夠提升學(xué)校在薄膜與等離子體技術(shù)方向的教學(xué)與科研設(shè)備水平，其中橢偏儀主要用于薄膜及光學(xué)元件折射率測量。橢偏儀具備滿足學(xué)校在薄膜與等離子體技術(shù)方向的教學(xué)與科研設(shè)備需求且質(zhì)量達(dá)到現(xiàn)行合格標(biāo)準(zhǔn)，符合國家、行業(yè)、地方規(guī)定的質(zhì)量和安全標(biāo)準(zhǔn)。。 | 160.00 | 2025年03月 | 無 |
| 5 | 分光光度計 | 采購內(nèi)容:分光光度計；主要功能或目標(biāo):光譜范圍190-2600nm，采用棱鏡-光柵（P-G）雙單色儀光學(xué)系統(tǒng)，光譜帶寬：紫外-可見區(qū)0.01-2.4nm(0.01nm步進(jìn)），2.4-8.0nm(0.02nm步進(jìn)）；雜散光（S.L.)：≤0.00008%（220nm NaI）；≤0.00005%（380nm NaNO2）。；需滿足的要求:項目建設(shè)后，建成并投入使用能夠提升學(xué)校在薄膜與等離子體技術(shù)方向的教學(xué)與科研設(shè)備水平，其中分光光度計主要用于光學(xué)薄膜樣品及光學(xué)元件透射率檢測。分光光度計具備滿足學(xué)校在薄膜與等離子體技術(shù)方向的教學(xué)與科研設(shè)備需求且質(zhì)量達(dá)到現(xiàn)行合格標(biāo)準(zhǔn)，符合國家、行業(yè)、地方規(guī)定的質(zhì)量和安全標(biāo)準(zhǔn)。。 | 65.00 | 2025年03月 | 無 |
| 6 | 相控陣天線自動測試系統(tǒng) | 采購內(nèi)容:相控陣天線自動測試系統(tǒng)；主要功能或目標(biāo):相控陣天線自動測試系統(tǒng)；主要功能或目標(biāo):相控陣天線自動測試系統(tǒng)（含頻譜分析儀、微波信號發(fā)生器 、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀等） 1、 全數(shù)字中頻技術(shù)，頻率范圍9 kHz ~ 26.5 GHz，頻率分辨率1 Hz；2、 顯示平均噪聲電平DANL低于-165dBm/Hz；3、 相位噪聲低于 -105 dBc/Hz@1 GHz；4、 分辨率帶寬（RBW）1Hz ~ 10MHz，步進(jìn)1-3-10；5、微波信號發(fā)生器輸出頻率范圍100 kHz ~ 40 GHz；6、矢量網(wǎng)絡(luò)分析頻率范圍100 kHz ~ 26.5 GHz，頻率分辨率1Hz；7、 矢量網(wǎng)絡(luò)分析端不少于4個；8、 輸出功率設(shè)置范圍-55 dBm ~ +10 dBm等；；需滿足的要求:性能安全可靠，可開展軍用裝備相關(guān)快速開發(fā)驗證及自動化測試。 可廣泛應(yīng)用于各類移動通信系統(tǒng)、模塊、器件的測試，支持遠(yuǎn)程桌面，適用于通信教學(xué)、微波射頻實驗室等，滿足廣泛的應(yīng)用需求。要求高精度，可全面測試射頻、微波器件的性能。。 | 550.00 | 2025年03月 | 無 |
| 7 | 人工智能模型訓(xùn)練服務(wù)器 | 采購內(nèi)容:人工智能模型訓(xùn)練服務(wù)器；主要功能或目標(biāo):人工智能模型訓(xùn)練服務(wù)器組件 1、具備雙機互備份，單機可獨立運行功能；2、雙路8488c；3、96核192線程；4、128G內(nèi)存Tesla L40 48G4；6.AI算力：不低于724 TFLOPS；；需滿足的要求:可模擬各種規(guī)模的嵌入式板卡和模塊支撐系統(tǒng)自動化、機載智能能力生成、效能評估等功能。搭載全套仿真推演平臺，用于數(shù)字孿生戰(zhàn)場中基于光電和電磁數(shù)據(jù)科學(xué)分析支撐的智能態(tài)勢推演和仿真。規(guī)?？烧{(diào)的強大的并行算力，滿足多平臺、多場景、多行業(yè)的個性化需求。。 | 55.00 | 2025年03月 | 無 |
| 8 | 計量型三坐標(biāo)測量機 | 采購內(nèi)容:計量型三坐標(biāo)測量機；主要功能或目標(biāo):一臺計量型三坐標(biāo)測量機及相關(guān)附件；主要功能或目標(biāo):（1）測量精度要求：0.7+L/400（微米）； （2）測量范圍不低于****； （3）配備三維掃描測頭 ；；需滿足的要求:實現(xiàn)復(fù)雜零部件幾何量精密測量，可實現(xiàn)復(fù)雜刀具、齒輪、各類樣板的溯源。。 | 199.75 | 2025年03月 | 無 |
| 9 | 雙向直流源載系統(tǒng) | 采購內(nèi)容:雙向直流源載系統(tǒng)；主要功能或目標(biāo):雙向直流源載系統(tǒng) 輸出電壓 2000V； 輸出電流 60A； 輸出功率 30kW； 功率因數(shù) ＞0.99； 保護(hù)功能 OVP、OCP、OPP、OTP； 通訊接口 RS485。；需滿足的要求:該系統(tǒng)具備高達(dá)2000V的輸出電壓和60A的輸出電流，能夠滿足包括無人機、導(dǎo)彈光電制導(dǎo)系統(tǒng)及高射速武器在內(nèi)的多種武器裝備在復(fù)雜工況下的電源測試需求。其30kW的輸出功率確保了在高負(fù)載測試場景下的穩(wěn)定性和可靠性。。 | 50.00 | 2025年03月 | 無 |
| 10 | 智能信息處理平臺 | 采購內(nèi)容:智能信息處理平臺；主要功能或目標(biāo):智能信息處理平臺 數(shù)據(jù)采集功能： 采樣率≥500kHz； 通道數(shù)≥8路同步模擬輸入采集通道，具備通道擴展功能； 通道間同步精度優(yōu)于1微秒； 采集模塊各測量通道具備0-20V恒壓激勵和0-20mA恒流激勵供電能力； 隔離電壓≥500V； 半實物仿真功能： 主機采用IntelR XeonR E34核，3.7GHz 16GBRAM,250GBSSD； 主控板采用FPGA XilinxR KintexR-7 410T； 采用的兼容軟件平臺為 RT-LAB和HYPERSIM； 數(shù)字I/O通道(OP5369)≥32； 高量程數(shù)字輸入輸出通道≥2； 數(shù)字輸出電壓：5-24V； 數(shù)字輸入電壓：0-30V； 模擬輸出通道(OP5330-3)≥16，1MS/s，16-bit精度，500 ns, ±20 V； 模擬輸入通道(OP5342)≥16，1MS/s，16-bit精度，500 ns, ±20 V。；需滿足的要求:數(shù)據(jù)采集模塊提供精密強穩(wěn)定的數(shù)據(jù)采集功能，滿足高速高動態(tài)微小信號容易受到外界噪聲干擾，采集模塊具有隔離設(shè)計，最大化地消除接地回路和共模電壓帶來的干擾，保證信號測試質(zhì)量。半實物仿真功能滿足基于CPU的實時仿真和亞微秒級電力電子仿真提供強大的仿真能力，可提供多個具有信號調(diào)理功能的高性能模擬/數(shù)字通道，以及用于硬件對接的高速光纖接口，可作為電力電子變換器、變頻器及電機驅(qū)動系統(tǒng)的可靠、高效的半物理實時仿真平臺。。 | 92.00 | 2025年03月 | 無 |
| 11 | MOCVD | 采購內(nèi)容:金屬有機化合物化學(xué)氣相沉積設(shè)備；主要功能或目標(biāo):4個腔室；加工4英寸或6英寸高性能銦鎵砷超晶格、氮化鎵基藍(lán)綠光LED外延層等。；需滿足的要求:實現(xiàn)片上集成光源和光探測有源器件的制備；實現(xiàn)銦鎵砷超晶格、硅鍺量子阱等主流近紅外、紅外發(fā)光和探測材料和微納結(jié)構(gòu)的晶圓流片制備。具備沉積銦鎵砷/硅鍺量子阱薄膜；典型厚度10nm-500nm。。 | 800.00 | 2025年03月 | 無 |
| 12 | 低壓等離子體化學(xué)氣相沉積 | 采購內(nèi)容:低壓等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)；主要功能或目標(biāo):單腔反應(yīng)爐單腔反應(yīng)爐；最大晶圓尺寸8英寸（200mm）；最大加工數(shù)量150片；反應(yīng)方式：熱反應(yīng)（1250℃）；可加工工藝：Oxide, Anneal, Nitride, Poly, TEOS, HTO, High-K. 用于制備Si3N4薄膜（芯片級）；；需滿足的要求:該項目是制備集成氮化硅波導(dǎo)的重要手段。基于LPCVD技術(shù)制備的氮化硅波導(dǎo)，有結(jié)構(gòu)緊湊致密、表面光滑的特點，其傳輸損耗能降低到很小的值；導(dǎo)傳輸損耗可以低至0.05d/cm。相比于PECVD技術(shù)制備的氮化硅波導(dǎo)，其主要優(yōu)勢是傳輸損耗更低。：與實驗室現(xiàn)有的PECVD薄膜沉積、等離子體刻蝕設(shè)備可以構(gòu)建一套光子芯片用光波導(dǎo)等無源器件制造體系。。 | 585.00 | 2025年03月 | 無 |
| 13 | 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 | 采購內(nèi)容:矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀；主要功能或目標(biāo):性能要求： 頻率范圍：覆蓋100kHz~20GHz 最大測量電平：≥20dBm 內(nèi)置衰減器范圍：0~30dB 分辨率帶寬：1Hz~3MHz 顯示平均噪聲電平：優(yōu)于-155dBm/Hz（1GHz） 單邊帶相位噪聲：優(yōu)于-120dBc/Hz（1GHz） 信號分析帶寬：不小于160MHz 設(shè)備形態(tài)：臺式儀器，具備按鍵與觸摸屏 工作溫度：0℃~50℃ 儲藏溫度：-20℃~70℃ 功能要求： 具備頻譜分析功能，包含0掃寬，通道功率測量，占用帶寬測量，NdB帶寬測量，鄰道功率測量等基本測量功能。 具備掃描頻率，2D瀑布圖，3D瀑布圖顯示 具備相位噪聲測試功能 具備矢量信號分析功能，支持PSK、QAM、FSK等格式 具備4G信號與5G信號解調(diào)功能 支持內(nèi)外參考切換；需滿足的要求:實現(xiàn)矢量信號分析功能，對信號從頻率，時域，調(diào)制域進(jìn)行分析。 能夠從頻譜界面讀取信號的頻率，幅度，帶寬等信息，能夠從矢量信號分析界面讀取頻率誤差，星座圖，調(diào)制質(zhì)量等信息。。 | 50.00 | 2025年03月 | 無 |
本次公開的采購意向是本單位政府采購工作的初步安排，具體采購項目情況以相關(guān)采購公告和采購文件為準(zhǔn)。
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